半導体レーザ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊藤洋二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994264765
Publication number (International publication number)：1996125281
Application date： Oct. 28, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】駆動電流が大きくなる半導体レーザにおいて、高温においてもキャリアを活性層の中に閉じ込めて、光出力が極端に低下するのを防止する。【構成】 n-GaAs基板1上にn-GaAs層2、クラッド層3、光ガイド層4、多重量子井戸構造からなる活性層6、光ガイド層8、クラッド層9、p-GaAs層10が順に積層された半導体レーザにおいて、活性層6と光ガイド層4、6のそれぞれの間に、活性層6及び光ガイド層4、6よりもエネルギーバンドギャップの大きい材料からなるキャリア障壁層5、7を設けた

Claim (excerpt)：

半導体基板上に順次積層された第1の半導体クラッド層、第1の半導体光ガイド層、半導体活性層、第2の半導体光ガイド層、第2の半導体クラッド層を少なくとも有する半導体レーザにおいて、前記半導体活性層と前記第1の半導体光ガイド層及び前記第2の半導体光ガイド層とのそれぞれの間に、前記半導体活性層及び前記第1、第2の半導体光ガイド層よりもエネルギーバンドギャップの大きい材料からなる第1、第2のキャリア障壁層を設けたことを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開平3-209897
半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-052756 Applicant：株式会社東芝
特開平4-218994

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