半導体レーザ素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：遠山勉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994323379
Publication number (International publication number)：1995231139
Application date： Dec. 26, 1994
Publication date： Aug. 29, 1995
Summary：

【要約】【目的】従来の弱導波レーザ、LOC(SCH)構造レーザが持っていた導波モードの制御のデバイス設計上のジレンマを克服し、高出力化、放射ビームの低分散化、導波モードの改善等を図る。【構成】活性層の両側に、前記活性層の導波機能を低減するキャリアブロック層を設け、前記キャリアブロック層の両外方には導波層を設け、前記導波層をクラッド層の両外方に設け、前記活性層はサイドバリア層とこれに挟まれた量子井戸層、またはサイドバリア層とこれに挟まれた量子井戸層とバリア層の積層からなり、前記量子井戸層の組成をGa<SB>y</SB>In<SB>1-y</SB>As(0.6<y<1.0)とし、前記キャリアブロック層を前記導波層の材料よりバンドギャップが大きくかつ屈折率の低い材料で構成した。

Claim (excerpt)：

活性層の両側に、前記活性層の導波機能を低減するキャリアブロック層が設けられ、前記キャリアブロック層の両外方には導波層が設けられ、前記導波層の両外方にクラッド層が設けられ、前記活性層はサイドバリア層とこれに挟まれた量子井戸層またはサイドバリア層とこれに挟まれた量子井戸層とバリア層の積層からなり、前記量子井戸層の組成はGa<SB>y</SB>In<SB>1-y</SB>As(0.6<y<1.0)であり、前記キャリアブロック層は前記導波層の材料よりバンドギャップが大きくかつ屈折率の低い材料からなることを特徴とする半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

特開昭60-133781
特開昭61-015385
特開昭55-096695

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