半導体回路及び半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001029728
Publication number (International publication number)：2001267587
Application date： Mar. 11, 1994
Publication date： Sep. 28, 2001
Summary：

【要約】【課題】薄膜トランジスタ(TFT)の回路において、低リーク電流のTFTと高速動作が可能なTFTを有する半導体回路及びそのような回路を作製するための方法を提供する。【解決手段】絶縁表面を有する基板と、前記絶縁表面上に形成され、結晶性半導体を含む複数の薄膜トランジスタからなる前記アクティブマトリクス回路と、前記絶縁表面上に形成され、結晶性半導体を含む複数の薄膜トランジスタからなる前記周辺回路とを有する半導体回路において、前記周辺回路は、前記アクティブマトリクス回路を駆動し、前記周辺回路の薄膜トランジスタの活性領域は、ニッケル、鉄、コバルト又は白金を有し、前記アクティブマトリクス回路の薄膜トランジスタの活性領域は、前記ニッケル、鉄、コバルト又は白金を含まないことを特徴とする半導体回路である。

Claim (excerpt)：

絶縁表面を有する基板と、前記絶縁表面上に形成され、結晶性半導体を含む複数の薄膜トランジスタからなる前記アクティブマトリクス回路と、前記絶縁表面上に形成され、結晶性半導体を含む複数の薄膜トランジスタからなる前記周辺回路とを有する半導体回路において、前記周辺回路は、前記アクティブマトリクス回路を駆動し、前記周辺回路の薄膜トランジスタの活性領域は、ニッケル、鉄、コバルト又は白金を有し、前記アクティブマトリクス回路の薄膜トランジスタの活性領域は、前記ニッケル、鉄、コバルト又は白金を含まないことを特徴とする半導体回路。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/20 , H01L 27/08 331 , H01L 21/336

FI (5)：

H01L 21/20 , H01L 27/08 331 E , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 618 G , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体回路およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-067982 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
駆動回路一体型アクテイブマトリクスアレイの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-196332 Applicant：日本電気株式会社
アクテイブマトリクス基板及びアクテイブマトリクス基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-189825 Applicant：セイコーエプソン株式会社

Show all

Return to Previous Page