半導体装置、静電誘導形半導体装置およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：布施行夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994339294
Publication number (International publication number)：1996186270
Application date： Dec. 28, 1994
Publication date： Jul. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】電力損失を抑制しつつ電流増幅率を増大させることが可能な、高精度の静電誘導形半導体装置ならびにその製造方法を提供することである。【構成】本発明の静電誘導型半導体装置は、半導体基板の一方の表面部に設けられた第1導電型のドレイン領域10と、前記半導体基板の他方の表面部に設けられた第1導電型のソース領域40と、そのソース領域の近傍に設けられた第2導電型のゲート領域30,32とを有する静電誘導型半導体装置であって、前記ソース領域40の内部に電気的絶縁層50が設けられていることを特徴とするものである。ゲート領域から見たソース面積が縮小され、ゲート電流(IG)を低減できる。したがって、電流増幅率hFS(=ID/IG)を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の一方の表面部に設けられた第1導電型のドレイン領域と、前記半導体基板の他方の表面部に設けられた第1導電型のソース領域と、そのソース領域の近傍に設けられた第2導電型のゲート領域と、を有する静電誘導形半導体装置であって、ゲート電流が流れる部分の一部に電気的絶縁層が形成されていることを特徴とする静電誘導形半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

特開平4-030435
特開平2-126678
特開平3-222364

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Cited by examiner (11)

特開平4-030435
特開平2-126678
特開平3-222364

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