電子デバイス、その製造方法およびプラズマプロセス装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内祐二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003348303
Publication number (International publication number)：2004158839
Application date： Oct. 07, 2003
Publication date： Jun. 03, 2004
Summary：

【課題】低い被処理基板温度においても、高品質膜を実現し、高いガス解離効率にて成膜する。【解決手段】被処理基板4にプラズマ処理を施すプラズマプロセス装置は、被処理基板4が内部に載置される処理室5と、処理室5内にガスを導入するガス導入口6と、処理室5内に設けられたプラズマ放電発生部15とを備える。プラズマ放電発生部15は、第1電極2aと、第1電極2aよりも被処理基板4に近接して設けられた第2電極2bとを有している。第1電極2aおよび第2電極2bは、被処理基板4の法線方向から視認できる面のみがプラズマ放電面として機能する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマプロセス装置であって、前記被処理基板が内部に載置される処理室と、前記処理室内にガスを導入するガス導入口と、前記処理室内に設けられたプラズマ放電発生部とを備え、前記プラズマ放電発生部は、第1電極と、前記第1電極よりも前記被処理基板に近接して設けられた第2電極とを有しており、前記第1電極および前記第2電極は、前記被処理基板の法線方向から視認できる面のみがプラズマ放電面として機能する、プラズマプロセス装置。

IPC (2)：

H01L21/31 , C23C16/505

FI (2)：

H01L21/31 C , C23C16/505

F-Term (27)：

3K007AB12 , 3K007AB13 , 3K007AB18 , 3K007BB01 , 3K007DB03 , 3K007FA01 , 4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA40 , 4K030CA06 , 4K030FA01 , 4K030JA18 , 4K030KA30 , 4K030LA15 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC15 , 5F045CA15 , 5F045DP05 , 5F045EC01 , 5F045EF05 , 5F045EH04 , 5F045EH05 , 5F045EH12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

プラズマ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-363082 Applicant：田中栄
特開平1-279761号公報(第3〜4頁の「作用」の欄、図1)
薄膜形成用プラズマ成膜装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-009963 Applicant：シャープ株式会社

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Cited by examiner (2)

沿面放電を用いた表面処理装置及びその方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-353804 Applicant：セイコーエプソン株式会社
特開平2-210798

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