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J-GLOBAL ID：200903092878669085

半導体実装用半田合金とその製造方法、及び半田ボール、電子部材

Inventor： 寺嶋 晋一 ,  田中 将元
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (2)： 内藤 俊太 ,  田中 久喬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004070878
Publication number (International publication number)：2005254298
Application date： Mar. 12, 2004
Publication date： Sep. 22, 2005
Summary：

【課題】 落下衝撃による半田接合部の破壊を防ぐことができる半導体実装用半田合金とその製造方法及び、半田ボール、電子部材を提供する。【解決手段】 Sn、Ag及びCuを主体とする半田合金であって、Ag:1〜5質量%及びCu:0.1〜2質量%を含み、さらにMg、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luから成る元素群から選ばれた1種又は2種以上の元素を総計で0.0005〜0.5質量%含有し、残部がSn及び不可避不純物から成ることを特徴とする半導体実装用半田合金とその製造方法及びこれを用いた半田ボール、電子部材である。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

Sn、Ag及びCuを主体とする半田合金であって、Ag:1〜5質量%及びCu:0.1〜2質量%を含み、さらにMg、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luから成る元素群から選ばれた1種又は2種以上の元素を総計で0.0005〜0.5質量%含有し、残部がSn及び不可避不純物から成ることを特徴とする半導体実装用半田合金。

IPC (4)：

B23K35/26 ,  B23K35/40 ,  C22C13/00 ,  H01L21/60

FI (5)：

B23K35/26 310A ,  B23K35/40 340F ,  C22C13/00 ,  H01L21/60 311Q ,  H01L21/92 603B

F-Term (1)：

5F044QQ03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 鉛フリーはんだボールおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-181173   Applicant：千住金属工業株式会社
• 鉛フリーはんだ合金
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-301801   Applicant：千住金属工業株式会社

Cited by examiner (1)

• はんだ材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-164996   Applicant：ソニー株式会社