窒化物半導体基板の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001391160
Publication number (International publication number)：2002353152
Application date： Dec. 25, 2001
Publication date： Dec. 06, 2002
Summary：

【要約】【課題】クラック等を発生させることなく、さらに、欠陥密度が小さく且つ生産性に優れた窒化物半基板を確実に得られるようにする。【解決手段】まず、母材基板11の主面上に、窒化物半導体が実質的に成長しない材料からなり、ストライプ状に開口する複数の開口部12aを有するマスク膜12Bを形成する。次に、母材基板11上に、マスク膜12Bを介して窒化物からなる半導体層13を選択的に成長する。次に、半導体層13における母材基板11との界面にレーザ光を照射して、半導体層13を母材基板11から剥離することにより、半導体層13から窒化物半導体基板13Aを形成する。

Claim (excerpt)：

母材基板の主面上に、窒化物半導体が実質的に成長しない材料からなり、複数の開口部を有するマスク膜を形成する第1の工程と、前記母材基板上に、前記マスク膜を介して窒化物からなる半導体層を選択的に成長する第2の工程と、前記半導体層における前記母材基板との界面にレーザ光を照射して、前記半導体層を前記母材基板から剥離することにより、前記半導体層から半導体基板を形成する第3の工程とを備えていることを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 , C30B 25/04 , C30B 29/38

FI (3)：

H01L 21/205 , C30B 25/04 , C30B 29/38 D

F-Term (28)：

4G077AA02 , 4G077BE15 , 4G077DB01 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EE07 , 4G077FJ03 , 4G077TB03 , 4G077TC12 , 4G077TC17 , 4G077TK11 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC02 , 5F045AC12 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AF02 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045CA11 , 5F045DA53 , 5F045DB02 , 5F045DB04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

GaN系結晶成長用基板およびその用途
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-195890 Applicant：三菱電線工業株式会社
GaN結晶膜、III族元素窒化物半導体ウェーハ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-211044 Applicant：日本電気株式会社
半導体基材及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-335591 Applicant：三菱電線工業株式会社

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