酸化物半導体発光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：青山葆 , 河宮治 , 山崎宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003013814
Publication number (International publication number)：2004228318
Application date： Jan. 22, 2003
Publication date： Aug. 12, 2004
Summary：

【課題】発光ダイオードや半導体レーザ素子に適用することができ、発光特性と信頼性に優れた酸化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】Li1-(x+y)NaxKyAl1-zGazO2(0≦x、y、z≦1、0≦x+y≦1)で表される組成を有する酸化物基板を用い、I族元素またはIII族元素の組成を変化させることによって、基板の格子定数を制御する。これにより、酸化物半導体発光素子のエピタキシャル層中の結晶欠陥および歪を低減する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

酸化物基板上に、少なくとも、n型ZnO系半導体クラッド層、ZnO系半導体活性層、およびp型ZnO系半導体クラッド層が形成され、ここに、該酸化物基板がLi1-(x+y)NaxKyAl1-zGazO2(0≦x、y、z≦1、0≦x+y≦1)で表される組成を有する酸化物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L33/00 , H01L21/363

FI (2)：

H01L33/00 D , H01L21/363

F-Term (12)：

5F041AA40 , 5F041CA23 , 5F041CA41 , 5F041CA46 , 5F103AA10 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103HH04 , 5F103HH08 , 5F103LL02 , 5F103LL03 , 5F103RR06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

シリコン基板を用いたZnO系化合物半導体発光素子およびその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-211222 Applicant：工業技術院長, ローム株式会社
酸化物単結晶薄膜およびその加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-069863 Applicant：日本電信電話株式会社
半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-227283 Applicant：株式会社東芝

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