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J-GLOBAL ID：200903093053527454

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 松永 範昭 ,  東 和幸 ,  柴田 英毅
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001158065
Publication number (International publication number)：2002353308
Application date： May. 28, 2001
Publication date： Dec. 06, 2002
Summary：

【要約】【課題】 メチルポリシロキサンからなる層間絶縁膜の炭素濃度の減少又は水分等の吸着によって生ずる比誘電率増大や剥がれ、クラックの誘発を回避する。【解決手段】 Si-CH3結合たる疎水基からなるメチルポリシロキサンを層間絶縁膜に用いた場合、エッチング工程等において前記層間絶縁膜表面がダメージを受け、メチル基の欠陥により炭素濃度が減少する。したがって本発明では、前記ダメージ部分にヘキサメチルジシラザン処理による修復処理(疎水化処理をいう。)、若しくはフッ化水素等によってダメージ部分の除去処理をすることによって解決する。

Claim (excerpt)：

メチルポリシロキサンからなる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に加工形成された凹部と、前記凹部に埋め込まれた導体とを具備した半導体装置において、前記層間絶縁膜は、前記凹部の側面及び前記層間絶縁膜の表面からそれぞれ垂直方向に前記層間絶縁膜の内部に向かって15nmにある位置で5atm%以上の炭素濃度を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/312

FI (6)：

H01L 21/28 B ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 A

F-Term (71)：

4M104BB04 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD17 ,  4M104DD20 ,  4M104DD22 ,  4M104DD37 ,  4M104DD52 ,  4M104DD75 ,  4M104EE08 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104FF16 ,  4M104HH05 ,  4M104HH12 ,  4M104HH20 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH19 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033KK19 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ26 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ95 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033TT04 ,  5F033WW01 ,  5F033WW04 ,  5F033XX01 ,  5F033XX17 ,  5F033XX18 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28 ,  5F058AA02 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AD11 ,  5F058AH02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-229708   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-223867   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-338744   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-237385   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-104439   Applicant：日本電気株式会社