半導体集積回路

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山川政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997154861
Publication number (International publication number)：1999003586
Application date： Jun. 12, 1997
Publication date： Jan. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体集積回路の内部降圧回路において集積回路の待機時の消費電流を低減する。【解決手段】集積回路を待機状態かつ非パワーダウンモードにする場合は、「L」レベルの制御信号ACTを与え、内部降圧回路Aを非活性にし、内部降圧回路B1〜B3から降圧電圧VINTを初段回路2へ供給する。また、集積回路をパワーダウンモードにする場合は「L」レベルのACT,パワーダウン信号PWDNBを与え、内部降圧回路A,B1を非活性にし、内部降圧回路B2,B3からVINTを供給する。また、集積回路をセルフリフレッシュモードにする場合は「L」レベルのACT,PWDNB,セルフリフレッシュ信号SRSBを与え、内部降圧回路A,B1,B2を非活性にし内部降圧回路B3からVINTを供給する。

Claim (excerpt)：

外部電源を降圧して内部動作電圧として初段回路を含む内部の各部に供給する半導体集積回路において、半導体集積回路の動作状態時に外部電源を降圧して前記内部動作電圧を出力すると共に、少なくとも半導体集積回路のスタンバイ状態時には該内部動作電圧の出力を停止する内部降圧回路と、半導体集積回路の動作状態時に外部電源を降圧して前記内部動作電圧を各個に出力し、かつ半導体集積回路のスタンバイ状態時の各モードに応じて該内部動作電圧の出力を各個に停止する複数の内部降圧部とを備えたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3)：

G11C 11/407 , G11C 11/413 , G11C 11/403

FI (3)：

G11C 11/34 354 F , G11C 11/34 335 A , G11C 11/34 363 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-254442 Applicant：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
半導体装置および電源電圧発生回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-130902 Applicant：三菱電機株式会社
半導体メモリの初段回路方式
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-211323 Applicant：日本電気株式会社

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