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J-GLOBAL ID：200903093087979311

ITOスパッタリングターゲットおよびその製造方法

Inventor： 内海 健太郎 ,  長崎 裕一 ,  寺岡 秀樹 ,  黒澤 聡
Applicant, Patent owner： 東ソー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001108686
Publication number (International publication number)：2002302761
Application date： Apr. 06, 2001
Publication date： Oct. 18, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 中間化合物相が起因となるアーキングの発生頻度を抑制する構造を有するITOスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 相対密度≧99%、立方晶系In2O3からなる母相及びIn2O3とSnO2の中間化合物相からなるITO焼結体を用いたターゲットであって、焼結体の任意断面をSEM観察したときの中間化合物粒子の楕円長短軸比≧2.1、または中間化合物粒子数の80%以上が凹面を含む多角形状であるITOターゲットであり、In2O3とSnO2の粉末を混合、成形し、1550°C以上1650°C未満の純酸素気流中で焼結後、焼結保持温度から少なくとも1300°Cまで200°C/時間以上の降温速度で降下することにより得られる。

Claim (excerpt)：

酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末とを混合、成形、焼成して得られるITO焼結体からなるスパッタリングターゲットであって、その相対密度が99%以上で、焼結体が立方晶系酸化インジウムからなる母相と、酸化インジウムと酸化スズとの中間化合物相との2相構造からなり、焼結体の任意の断面を走査型電子顕微鏡を用いて観察される前記中間化合物相粒子の楕円長短軸比が2.1以上であることを特徴とするITOスパッタリングターゲット。

IPC (3)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/457 ,  C23C 14/08

FI (3)：

C23C 14/34 A ,  C23C 14/08 D ,  C04B 35/00 R

F-Term (14)：

4G030AA34 ,  4G030AA39 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030CA01 ,  4G030CA04 ,  4G030GA09 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4G030GA30 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 酸化インジウム・酸化スズ焼結体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-262559   Applicant：東ソー株式会社
• ITO焼結体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-225886   Applicant：東ソー株式会社
• インジウム酸化物系焼結体およびその製造方法ならびにインジウム酸化物系ターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-281559   Applicant：日立金属株式会社
• 酸化インジウム・酸化錫焼結体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-304492   Applicant：住友金属鉱山株式会社