Pat
J-GLOBAL ID：200903093096544913

磁気抵抗効果素子およびその製造方法

Inventor：
張 坤亮

About 張 坤亮

, 
李 民

About 李 民

, 
ラシッド スビア

About ラシッド スビア

, 
廖 ▲煥▼中

About 廖 ▲煥▼中

, 
▲劉▼ 越

About ▲劉▼ 越


Applicant, Patent owner：
ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド

About ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド


Agent (2)： 三反崎 泰司 ,  藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005049638
Publication number (International publication number)：2005244237
Application date： Feb. 24, 2005
Publication date： Sep. 08, 2005
Summary：
【課題】 フリー層における保磁力と磁歪定数とのバランスを最適化し、より高い信号検出感度を示す磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 MR素子1におけるフリー層20は、第1および第2のFeCo層31,32と、これらよりも厚みの大きな第1〜第4のCoFe層21〜24とを含む積層体である。第1および第2のFeCo層31,32は正の磁歪定数を有する第1の強磁性材料(FeCo)によって構成され、第1〜第4のCoFe層21〜24は負の磁歪定数を有する第2の強磁性材料(CoFe)によって構成される。このため、フリー層20全体としての磁歪定数λの絶対値が低減されるうえ、フリー層20の総体的なバルク散乱係数が高まるので抵抗変化率ΔR/Rが向上する。したがって、保磁力Hcを低減しつつ、より大きな抵抗変化率ΔR/Rを確保することができるので、信号検出感度を高めることができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基体と、 前記基体上に形成されたシード層と、 前記シード層上に形成された反強磁性ピンニング層と、 前記反強磁性ピンニング層上に、第2のピンド層と非磁性結合層と第1のピンド層とが順に積層されてなるシンセティック反強磁性ピンド層と、 正の磁歪定数を有する第1の強磁性材料によって形成された第1の薄層と、負の磁歪定数を有する第2の強磁性材料によって形成され、前記第1の薄層よりも大きな厚みを有する第2の薄層とを少なくとも1つずつ含む積層構造からなるフリー層と、 前記フリー層上に形成された保護層と を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4)：
H01L43/08 ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32
FI (5)：
H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32
F-Term (4)：
5D034BA03 ,  5E049AA04 ,  5E049BA12 ,  5E049CB01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
  • 米国特許第5627704号明細書
  • 米国特許第5668688号明細書
  • 米国特許第6473279号明細書
Show all
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM