半導体発光装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩橋文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998337152
Publication number (International publication number)：2000164937
Application date： Nov. 27, 1998
Publication date： Jun. 16, 2000
Summary：

【要約】【課題】波長変換用の蛍光物質を含む層との間に界面ができないようにして発光輝度を高く維持できる半導体発光装置及びその製造方法の提供。【解決手段】発光素子3を底部側に導通搭載した反射ケース1の中に、蛍光物質を混入した熱硬化性の一次成形樹脂材7をポッティングした後、反射ケース1の底部側を半径方向の外側に向けた姿勢で遠心分離し、一次成形樹脂材を蛍光物質を含む蛍光膜層5と透明のエポキシ樹脂による封止樹脂層6とに分離し、蛍光膜層5を発光素子3の光路に臨ませることによって、発光素子3からの発光波長を変換して放出する。

Claim (excerpt)：

発光素子を樹脂のパッケージによって封止した半導体発光装置であって、前記樹脂のパッケージを、共通の樹脂を生地とする封止樹脂層と発光波長変換用の蛍光物質を含有した蛍光膜層との2層構造とするとともに前記封止樹脂層と蛍光膜層との間の境界層を前記共通の樹脂の生地によって接合し、前記蛍光膜層を前記発光素子からの光路中に含ませてなる半導体発光装置。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 23/29 , H01L 23/31

FI (3)：

H01L 33/00 N , H01L 23/30 B , H01L 23/30 F

F-Term (21)：

4M109AA02 , 4M109BA01 , 4M109CA01 , 4M109CA02 , 4M109DB10 , 4M109EA02 , 4M109EB12 , 4M109EC11 , 4M109EE12 , 4M109GA01 , 5F041AA42 , 5F041AA43 , 5F041CA40 , 5F041DA36 , 5F041DA44 , 5F041DA55 , 5F041DA58 , 5F041DA91 , 5F041DB01 , 5F041DB03 , 5F041EE25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体発光装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-005109 Applicant：株式会社東芝
3族窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-338114 Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-083346 Applicant：株式会社東芝

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