半導体素子の素子分離膜形成方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：荒船博司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997104812
Publication number (International publication number)：1998041291
Application date： Apr. 22, 1997
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】素子分離絶縁膜の段差が緩和され、バードビークが低減する半導体素子の素子分離膜形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体基板上部にパッド酸化膜と第1窒化膜と感光膜とを順次形成する工程と、前記感光膜をマスクとして前記パッド酸化膜と前記第1窒化膜を過重にエッチングし、前記半導体基板にパッド酸化膜パターンと第1窒化膜パターンと第1溝とを形成する工程と、前記第1窒化膜パターンと前記パッド酸化膜パターンと前記第1溝の側壁に第2窒化膜スペーサを形成する工程と、前記第1窒化膜パターンと前記第2窒化膜スペーサをマスクにし、前記半導体基板の第1溝内に第2溝を形成する工程と、前記第2溝の表面を熱酸化させて熱酸化膜を形成する工程とを含んでなることを特徴とする半導体素子の素子分離膜形成方法。

Claim (excerpt)：

半導体基板を提供する工程と、前記半導体基板上部にパッド酸化膜と第1窒化膜と感光膜とを順次形成する工程と、前記感光膜をマスクとして前記パッド酸化膜と前記第1窒化膜を過重にエッチングし、前記半導体基板にパッド酸化膜パターンと第1窒化膜パターンと第1溝とを形成する工程と、前記構造の表面をエッチング溶液で洗浄する洗浄工程と、前記第1窒化膜パターンと前記パッド酸化膜パターンと前記第1溝の側壁に第2窒化膜スペーサを形成する工程と、前記第1窒化膜パターンと前記第2窒化膜スペーサをマスクにし、前記半導体基板の第1溝内に第2溝を形成する工程と、前記第2溝の表面を熱酸化させて熱酸化膜を形成する工程と、前記第1窒化膜パターンと前記パッド酸化膜パターン及び第2窒化膜スペーサを除き、素子分離膜を形成する工程とを含んでなることを特徴とする半導体素子の素子分離膜形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 , H01L 21/76

FI (2)：

H01L 21/94 A , H01L 21/76 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭63-299144
半導体装置の素子間分離方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-072546 Applicant：ソニー株式会社
半導体基板の洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-169544 Applicant：シヤープ株式会社

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