Pat
J-GLOBAL ID:200903093322527784
半導体集積回路設計方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
國分 孝悦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003046842
Publication number (International publication number):2004258836
Application date: Feb. 25, 2003
Publication date: Sep. 16, 2004
Summary:
【課題】配線の容量値及び抵抗値の過剰なばらつきを抑えてばらつきを求める技術を提供することを課題とする。【解決手段】一の配線を含むレイアウトデータを入力する入力ステップと、レイアウトデータを基に一の配線の容量値及び抵抗値の最小値及び最大値をばらつき統計の予測値として出力する出力ステップとを有する半導体集積回路設計方法が提供される。【選択図】 図7
Claim (excerpt):
一の配線を含むレイアウトデータを入力する入力ステップと、
前記レイアウトデータを基に前記一の配線の容量値及び抵抗値の最小値及び最大値をばらつき統計の予測値として出力する出力ステップと
を有する半導体集積回路設計方法。
IPC (2):
FI (3):
G06F17/50 666L
, G06F17/50 668S
, H01L21/82 T
F-Term (21):
5B046AA08
, 5B046BA04
, 5F064EE09
, 5F064EE13
, 5F064EE14
, 5F064EE15
, 5F064EE23
, 5F064EE26
, 5F064EE27
, 5F064EE32
, 5F064EE42
, 5F064EE43
, 5F064EE44
, 5F064EE47
, 5F064EE51
, 5F064GG10
, 5F064HH01
, 5F064HH06
, 5F064HH10
, 5F064HH13
, 5F064HH14
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
Cited by examiner (3)
Return to Previous Page