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J-GLOBAL ID:200903046801451220
回路パラメータ抽出方法、半導体集積回路の設計方法および装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000035267
Publication number (International publication number):2001230323
Application date: Feb. 14, 2000
Publication date: Aug. 24, 2001
Summary:
【要約】【課題】 高精度な配線仕上がり幅算出および高精度な回路シミュレーションを可能にする。【解決手段】 モデル配線と該モデル配線の周囲に存在する同層の配線との距離と、該モデル配線のマスクレイアウト幅と仕上がり幅との差との相関データ101を準備し、実際のレイアウト100から、解析配線の配線長と配線幅を抽出すると共に、該解析配線と同層で周囲に存在する配線との距離を抽出し(102)、抽出した前記解析配線のレイアウト配線幅と、同じく抽出した前記解析配線と前記解析配線の周囲に存在する前記配線との距離とに対して、前記相関データを参照することによって得られる配線仕上がり幅を用いて、配線抵抗値と配線容量値を算出する(105)。
Claim (excerpt):
半導体集積回路のレイアウトから配線抵抗や配線容量等の回路パラメータを抽出する方法であって、モデル配線と該モデル配線の周囲に存在する同層の配線との距離と、該モデル配線のマスクレイアウト幅と仕上がり幅との差との相関データを準備し、実際のレイアウトから、解析配線の配線長と配線幅を抽出すると共に、該解析配線と同層で周囲に存在する配線との距離を抽出し、抽出した前記解析配線のレイアウト配線幅と、同じく抽出した前記解析配線と前記解析配線の周囲に存在する前記配線との距離とに対して、前記相関データを参照することによって得られる配線仕上がり幅を用いて、配線抵抗値と配線容量値を算出することを特徴とする回路パラメータ抽出方法。
IPC (4):
H01L 21/82
, G03F 1/08
, G06F 17/50
, H01L 21/027
FI (5):
G03F 1/08 A
, H01L 21/82 W
, G06F 15/60 666 L
, G06F 15/60 668 M
, H01L 21/30 502 Z
F-Term (21):
2H095BB02
, 2H095BB36
, 5B046AA08
, 5B046BA04
, 5B046JA04
, 5F046AA25
, 5F046CB17
, 5F046DA29
, 5F046DA30
, 5F064AA04
, 5F064CC09
, 5F064EE08
, 5F064EE09
, 5F064EE14
, 5F064EE42
, 5F064EE43
, 5F064EE47
, 5F064GG03
, 5F064HH06
, 5F064HH09
, 5F064HH12
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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