GaN系化合物半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997108673
Publication number (International publication number)：1998303504
Application date： Apr. 25, 1997
Publication date： Nov. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】 p型の導電型を有するGaN系半導体に対する低抵抗オーミック電極を提供し、該半導体系を用いた各種デバイスの動作電圧の低減を図る。【解決手段】 p型GaNに対する電極として、電極表面からPt層、PtGa化合物層、p型GaNにより構成される電極構造を形成する。Pt-GaN界面でのエネルギー障壁を緩和する中間層として、特性・安定性に優れたPtGa化合物が電極構造の中に含まれていることをその特徴とする。

Claim (excerpt)：

p型不純物を含むGaN系化合物半導体層に対するp型電極を備え、該p型電極は、前記p型不純物を含むGaN系化合物半導体層上から順に、実質的に窒素を含まない、電極金属とガリウムの化合物からなる第1層、及び単独の前記電極金属からなる第2層、を含む多層構造体により形成されてなることを特徴とするGaN系化合物半導体装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 E , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-135220 Applicant：旭化成工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体の電極材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-118227 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその電極形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-124890 Applicant：日亜化学工業株式会社

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