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J-GLOBAL ID：200903093337738935

GaN系化合物半導体装置及びその製造方法

Inventor：
高谷 邦啓

About 高谷 邦啓


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997108673
Publication number (International publication number)：1998303504
Application date： Apr. 25, 1997
Publication date： Nov. 13, 1998
Summary：
【要約】【課題】 p型の導電型を有するGaN系半導体に対する低抵抗オーミック電極を提供し、該半導体系を用いた各種デバイスの動作電圧の低減を図る。【解決手段】 p型GaNに対する電極として、電極表面からPt層、PtGa化合物層、p型GaNにより構成される電極構造を形成する。Pt-GaN界面でのエネルギー障壁を緩和する中間層として、特性・安定性に優れたPtGa化合物が電極構造の中に含まれていることをその特徴とする。
Claim (excerpt)：
p型不純物を含むGaN系化合物半導体層に対するp型電極を備え、該p型電極は、前記p型不純物を含むGaN系化合物半導体層上から順に、実質的に窒素を含まない、電極金属とガリウムの化合物からなる第1層、及び単独の前記電極金属からなる第2層、を含む多層構造体により形成されてなることを特徴とするGaN系化合物半導体装置。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (3)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (3)

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