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J-GLOBAL ID：200903093409641648

ハイブリッド・チャネル配向を有するCMOSデバイスおよびファセット形成エピタキシを用いてハイブリッド・チャネル配向を有するCMOSデバイを作製するための方法

Inventor：
トーマス・ダブリュー・ダイアー

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スンフェイ・ファング

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ジャドソン・アール・ホルト

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Applicant, Patent owner：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

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Agent (4)： 上野 剛史 ,  太佐 種一 ,  市位 嘉宏 ,  坂口 博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007135089
Publication number (International publication number)：2007329474
Application date： May. 22, 2007
Publication date： Dec. 20, 2007
Summary：
【課題】別々の表面配向(すなわちハイブリッド表面配向)を有する半導体基板を提供する。【解決手段】第一のデバイス領域2は、第一の等価結晶面の組の一つの方位に配向した実質的に平坦な表面16Aを有し、第二のデバイス領域は、第二の、別の等価結晶面の組の方位に配向した複数の交差する表面16Bを有する突起形半導体構造物18を含む。そのような半導体基板を用いて、半導体デバイス構造を形成することができる。詳しくは、第一のデバイス領域に第一の電界効果トランジスタ(FET)を形成することができ、第一のFETは、第一のデバイス領域の実質的に平坦な表面に沿って延在するチャネルを含む。第二のデバイス領域に第二の、相補FETを形成することができ、第二の、相補FETは、第二のデバイス領域にある突起形半導体構造物の複数の交差する表面に沿って延在するチャネルを含む。【選択図】図4
Claim (excerpt)：
半導体デバイスであって、 第一のデバイス領域と第二のデバイス領域とを含む半導体基板であって、前記第一のデバイス領域は、第一の等価結晶面の組の一つの方位に配向した実質的に平坦な表面を有し、前記第二のデバイス領域は、第二の、別の等価結晶面の組の方位に配向した複数の交差する表面を有する突起形半導体構造物を含む半導体基板と、 前記第一のデバイス領域に配置された第一の電界効果トランジスタ(FET)であって、前記第一のデバイス領域の前記実質的に平坦な上部表面に沿って延在するチャネルを含む第一のFETと、 前記第二のデバイス領域に配置された第二の、相補FETであって、前記第二のデバイス領域にある前記突起形半導体構造物の前記複数の交差する上部表面に沿って延在するチャネルを含む第二の、相補型FETと、 を含む半導体デバイス。
IPC (8)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/11 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/20
FI (9)：
H01L27/08 321C ,  H01L27/10 381 ,  H01L29/78 301Q ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 620 ,  H01L27/08 321B ,  H01L29/78 613A ,  H01L29/78 618C ,  H01L21/20
F-Term (87)：
5F048AB01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BB03 ,  5F048BB05 ,  5F048BB11 ,  5F048BD01 ,  5F048BD04 ,  5F048BD06 ,  5F048BD09 ,  5F048BD10 ,  5F048BG13 ,  5F083BS27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA08 ,  5F083PR25 ,  5F110AA07 ,  5F110BB04 ,  5F110BB07 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF23 ,  5F110FF26 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG05 ,  5F110GG17 ,  5F110GG42 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F140AA29 ,  5F140AB03 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA08 ,  5F140BA20 ,  5F140BB05 ,  5F140BC13 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F152LL03 ,  5F152MM04 ,  5F152NN03 ,  5F152NN04 ,  5F152NN05 ,  5F152NN06 ,  5F152NN07 ,  5F152NN08 ,  5F152NN15 ,  5F152NN27 ,  5F152NN29 ,  5F152NQ02 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ04 ,  5F152NQ05 ,  5F152NQ06 ,  5F152NQ07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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