ファセットチャンネルを有する半導体素子及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005379754
Publication number (International publication number)：2006191109
Application date： Dec. 28, 2005
Publication date： Jul. 20, 2006
Summary：

【課題】ファセットチャンネルを有する半導体素子を提供し、その製造方法をも提供する。【解決手段】半導体素子は第1及び第2活性領域を有する半導体基板を備える。前記第1及び第2活性領域はそれぞれ第1及び第2主表面を有し、前記第1及び第2主表面は第1結晶方位を有する。前記第2主表面から成長したファセットエピタキシャル半導体構造が提供される。前記ファセットエピタキシャル半導体構造は第2結晶方位を有する少なくとも1つのファセットを備える。前記第1主表面及び前記ファセットエピタキシャル半導体構造上にゲート誘電層が提供される。前記第1主表面上の前記ゲート誘電層上に第1ゲート電極が配置され、前記ファセットエピタキシャル半導体構造上の前記ゲート誘電層上に第2ゲート電極が配置される。また、前記半導体素子の製造方法をも提供する。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

第1及び第2活性領域を備え、前記第1及び第2活性領域はそれぞれ第1及び第2主表面を有し、前記第1及び第2主表面は第1結晶方位を有する半導体基板と、前記第2主表面から成長され、第2結晶方位を有する少なくとも1つのファセットを備えるファセットエピタキシャル半導体構造と、前記第1主表面及び前記ファセットエピタキシャル半導体構造上に形成されたゲート誘電層と、前記第1主表面上の前記ゲート誘電層上に形成された第1ゲート電極と、前記ファセットエピタキシャル半導体構造上の前記ゲート誘電層上に形成された第2ゲート電極と、を含むことを特徴とする半導体素子。

IPC (6)：

H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 27/08 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 29/78

FI (9)：

H01L27/08 321B , H01L27/08 331E , H01L27/08 321C , H01L29/78 618A , H01L29/78 620 , H01L29/78 618C , H01L29/78 618E , H01L29/78 613A , H01L29/78 301X

F-Term (52)：

5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA03 , 5F048BA10 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BA19 , 5F048BA20 , 5F048BB01 , 5F048BB03 , 5F048BC01 , 5F048BC18 , 5F048BD00 , 5F048BD01 , 5F048BD06 , 5F048BD09 , 5F048BD10 , 5F048BE03 , 5F048BG13 , 5F110AA01 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG44 , 5F110HJ13 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110NN74 , 5F110QQ17 , 5F140AA05 , 5F140AB03 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA03 , 5F140BA05 , 5F140BA16 , 5F140BA17 , 5F140BA20 , 5F140BB01 , 5F140BB04 , 5F140BC13 , 5F140BK13 , 5F140CB04 , 5F140CB08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-165581 Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (10)

特開平4-368180
半導体集積回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-213616 Applicant：株式会社東芝
特開昭62-020364

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