パターン形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000207270
Publication number (International publication number)：2002025894
Application date： Jul. 07, 2000
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】グレイトーンマスクによる露光、或いは、パターンの異なるマスクを2回使用して露光する2段露光といった技術により、1回のフォトリソグラフィで2つのパターンを同時に形成することが可能となったが、グレイトーンマスクにおいては、グレイトーン部分のマスク設計が難しいことや、2段露光においてはフォトレジストを半分だけ現像する、ハーフ現像の技術が難しいことから、パターンのバラツキが大きくなる問題を持っている。【解決手段】フォトレジストを塗布後プリベーク温度及びプリベーク時間を制御し、さらに、ハーフ現像部の露光量を45〜65mJ/cm2とすることによりハーフ現像部の膜厚を400±100nmに収めることができ、その結果、ハーフ現像部をマスクとして形成されるエッチングパターンの幅のばらつきを1μm以内に抑えることが可能となった。

Claim (excerpt)：

被エッチング膜の上に膜厚の異なる厚レジストパターン及び薄レジストパターンからなるレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記被エッチング膜をその表面からその膜厚全体に渡って除去する工程と、前記レジストパターンをその表面から一様にエッチングして前記薄レジストパターンが除去された時点でエッチングを停止して、前記レジストパターンのうち厚レジストパターンの一部を前記被エッチング膜上に残して前記厚レジストパターンを残存レジストパターンとする工程とを有するパターン形成方法であって、前記レジストパターンを形成する工程が、前記被エッチング膜の上にポジ型のレジスト膜を塗布し、前記レジスト膜を熱処理した後、前記レジスト膜のうち前記レジストパターンが形成されない領域のレジスト膜が第1の露光量で、前記レジスト膜のうち薄レジストパターンの形成予定領域が前記第1の露光量よりも少ない第2の露光量でそれぞれ選択的に露光され、続いて、前記レジスト膜を現像することにより前記厚レジストパターンの膜厚が1.4〜1.5μmの範囲内にあるとき、前記薄レジストパターンの膜厚を0.3〜0.5μmの範囲内に制御して形成することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (6)：

H01L 21/027 , G03F 7/039 501 , G03F 7/38 501 , G03F 7/40 521 , G03F 7/42 , H01L 21/3065

FI (8)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/38 501 , G03F 7/40 521 , G03F 7/42 , H01L 21/30 514 A , H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 572 A , H01L 21/302 H

F-Term (33)：

2H025AA00 , 2H025AB16 , 2H025AC01 , 2H025AC03 , 2H025AD03 , 2H025BE01 , 2H025CB29 , 2H025FA01 , 2H025FA04 , 2H025FA17 , 2H025FA39 , 2H025FA47 , 2H096AA25 , 2H096BA10 , 2H096DA01 , 2H096EA02 , 2H096EA03 , 2H096EA04 , 2H096EA12 , 2H096GA08 , 2H096HA11 , 2H096JA02 , 2H096JA04 , 5F004DA26 , 5F004DB26 , 5F004EA26 , 5F004EA32 , 5F004EB01 , 5F004EB02 , 5F004FA01 , 5F046AA11 , 5F046CB17 , 5F046MA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-116918 Applicant：鹿児島日本電気株式会社
レジストパターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-303317 Applicant：カシオ計算機株式会社
特開平3-044024

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