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J-GLOBAL ID：200903099982545333

半導体レーザ

Inventor：
藤井 宏明

About 藤井 宏明


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995121878
Publication number (International publication number)：1996316582
Application date： May. 19, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：
【要約】【目的】 簡便に共振器面、または光取り出し面を形成でき、高性能なGaN系青色・紫外域の半導体レーザが容易に提供できる。【構成】 活性層1を上下より挟み込み、かつ、活性層1よりも禁制帯幅の大きいクラッド層2、3を含みSiO2 マスク12に挟まれて形成されるGaN系結晶材料の共振器部が、GaN系結晶材料を六方晶構造結晶に選択成長させて現れる特定の6個の結晶面での成長速度が主面に比べ遅いことを利用し、これらのうちの2個からなる1対を半導体レーザの共振器面として有している。共振器となる結晶は、(0001)面、または(0001)面より数度傾斜した面を主面とする六方晶構造を形成している。
Claim (excerpt)：
活性層がGaN、GaInN、AlGaNまたはAlGaInNを含み、該活性層を上下より挟み込み、かつ、該活性層よりも禁制帯幅の大きいクラッド層を含み形成される共振器部を有する半導体レーザにおいて、前記共振器部が、(0001)面、または(0001)面より数度傾斜した面を主面とする六方晶構造を形成することを特徴とする半導体レーザ。
IPC (3)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/085
FI (3)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/08 S
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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