磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (8)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007094625
Publication number (International publication number)：2008252018
Application date： Mar. 30, 2007
Publication date： Oct. 16, 2008
Summary：

【課題】熱的に安定であると同時に低電流の磁化反転を可能とするスピン注入書き込み方式用の磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】磁気抵抗効果素子1は、磁化の方向が固定された第1磁化固定層2を含む。磁化可変層3は、磁化の方向が可変で、Fe、Co、Niから選ばれる少なくとも1つの元素と、Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt、Auから選ばれる少なくとも1つの元素と、V、Cr、Mnから選ばれる少なくとも1つの元素と、を含む。第1中間層4は、第1磁化固定層と磁化可変層との間に設けられ、非磁性材料からなる。第1磁化固定層と第1中間層と磁化可変層とを貫く双方向電流によって磁化可変層の磁化の方向が可変とされる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

磁化の方向が固定された第1磁化固定層と、磁化の方向が可変で、Fe、Co、Niから選ばれる少なくとも1つの元素と、Ru、Rh、Pd、Ag、Re、Os、Ir、Pt、Auから選ばれる少なくとも1つの元素と、V、Cr、Mnから選ばれる少なくとも1つの元素と、を含む磁化可変層と、前記第1磁化固定層と前記磁化可変層との間に設けられ、非磁性材料からなる第1中間層と、を具備し、前記第1磁化固定層と前記第1中間層と前記磁化可変層とを貫く双方向電流によって前記磁化可変層の磁化の方向が可変とされることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (8)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 29/82 , H01F 41/32 , H01F 10/16 , H01F 10/14 , G11B 5/39

FI (8)：

H01L43/08 M , H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , H01L29/82 Z , H01F41/32 , H01F10/16 , H01F10/14 , G11B5/39

F-Term (51)：

4M119AA03 , 4M119AA06 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD10 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE23 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF15 , 4M119FF17 , 5D034BA03 , 5D034BA21 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049BA06 , 5E049BA12 , 5E049CB02 , 5F092AA01 , 5F092AA08 , 5F092AB08 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB34 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB44 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC46 , 5F092BE02 , 5F092BE06 , 5F092BE12 , 5F092BE13 , 5F092BE24 , 5F092BE25

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

米国特許第6,256,223号明細書

Cited by examiner (4)

磁気ランダムアクセスメモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-262444 Applicant：株式会社東芝
交換結合された反強磁性/強磁性構造による垂直磁気バイアスを有する異常磁気抵抗センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-184574 Applicant：ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ
記憶素子及びメモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-116128 Applicant：ソニー株式会社

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