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J-GLOBAL ID：200903093609342025

無機物粒子の製造方法

Inventor：
谷口 泉

About 谷口 泉

, 
ムクシナ コナロバ

About ムクシナ コナロバ


Applicant, Patent owner：
国立大学法人東京工業大学

About 国立大学法人東京工業大学


Agent (1)： 磯野 道造
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007268170
Publication number (International publication number)：2009062256
Application date： Oct. 15, 2007
Publication date： Mar. 26, 2009
Summary：
【課題】電子導電性に優れた無機物粒子の提供。【解決手段】無機物粒子の構成成分を含む原料化合物の溶液を調製する工程(A)と、前記原料化合物の溶液を噴霧熱分解処理して第1無機物粒子を形成する工程(B)と、前記第1無機物粒子を1次焼成する工程(C)と、前記1次焼成された第1無機物粒子と、導電性物質とを、遊星ボールミルを用いて乾式で粉砕・混合して、表面に導電性物質がコーティングされた第2無機物粒子を形成する工程(D)と、前記第2無機物粒子を2次焼成する工程(E)と、を含むことを特徴とする無機物粒子の製造方法。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
無機物粒子の製造方法であって、 前記無機物粒子の構成成分を含む原料化合物の溶液を調製する工程(A)と、 前記原料化合物の溶液を噴霧熱分解処理して第1無機物粒子を形成する工程(B)と、 前記第1無機物粒子を1次焼成する工程(C)と、 前記1次焼成された無機物粒子と、導電性物質とを、遊星ボールミルを用いて乾式で粉砕・混合して、表面に導電性物質がコーティングされた第2無機物粒子を形成する工程(D)と、 前記第2無機物粒子を2次焼成する工程(E)と、 を含むことを特徴とする無機物粒子の製造方法。
IPC (4)：
C01B 25/45 ,  H01M 4/58 ,  H01M 4/36 ,  C01B 33/32
FI (4)：
C01B25/45 Z ,  H01M4/58 101 ,  H01M4/36 C ,  C01B33/32
F-Term (20)：
4G073BA03 ,  4G073BA32 ,  4G073BA36 ,  4G073BA40 ,  4G073BA44 ,  4G073BA63 ,  4G073UB60 ,  5H050AA12 ,  5H050BA16 ,  5H050BA17 ,  5H050CA01 ,  5H050CB12 ,  5H050DA10 ,  5H050EA10 ,  5H050FA02 ,  5H050GA02 ,  5H050GA05 ,  5H050GA10 ,  5H050HA14 ,  5H050HA20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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