高周波プラズマ処理装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：保立浩一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002025498
Publication number (International publication number)：2002319576
Application date： Feb. 01, 2002
Publication date： Oct. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】 VHF帯のようなより高い周波数の高周波を利用する高周波プラズマ処理装置において、電力効率を改善する。【解決手段】処理チャンバー1内にプロセスガス導入系2によりプロセスガスが導入され、高周波電極3に高周波電源4がVHF帯の高周波電圧を印加して高周波放電を生じさせてプラズマを形成し、基板9が処理される。基板9を保持する基板ホルダー5は、高周波電極3とともに放電空間を形成する別の高周波電極であり、可変キャパシタンス63を介してアースに接続されている。基板ホルダー5と支柱611で構成される内導体61とそれを取り囲む外導体62とからなる同軸共振器6は、高周波電源4の周波数で直列共振する。電流計7からの信号により可変キャパシタンス63が制御され、共振条件が満足される。

Claim (excerpt)：

処理対象である基板が内部に配置される処理チャンバーと、処理チャンバー内にプロセスガスを導入するプロセスガス導入系と、処理チャンバー内に設けられた高周波電極と、高周波電極にVHF帯の高周波電圧を印加することで処理チャンバー内に高周波電界を設定して高周波放電を生じさせてプロセスガスのプラズマを形成する高周波電源とを備え、プラズマの作用によって基板に所定の処理を施す高周波プラズマ処理装置であって、前記高周波電極とともに放電空間を形成するよう処理チャンバー内には別の高周波電極が設けられており、この別の高周波電極は可変容量を介してアースに接続されているとともに、この別の高周波電極とその支柱で構成される内導体と、内導体を取り囲む外導体とからなる同軸共振器が設けられており、この同軸共振器は、前記高周波電源の周波数で直列共振するものであることを特徴とする高周波プラズマ処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (2)：

H05H 1/46 R , H01L 21/302 C

F-Term (9)：

5F004AA16 , 5F004BA04 , 5F004BB11 , 5F004BB13 , 5F004BB17 , 5F004BD01 , 5F004BD04 , 5F004BD05 , 5F004BD07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-364442 Applicant：株式会社フロンテック, アルプス電気株式会社, 大見忠弘
高周波マグネトロンプラズマ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-282723 Applicant：アルプス電気株式会社, 大見忠弘
容量結合型プラズマ発生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-088942 Applicant：シャープ株式会社

Cited by examiner (3)

プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-364442 Applicant：株式会社フロンテック, アルプス電気株式会社, 大見忠弘
高周波マグネトロンプラズマ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-282723 Applicant：アルプス電気株式会社, 大見忠弘
容量結合型プラズマ発生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-088942 Applicant：シャープ株式会社

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