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J-GLOBAL ID：200903093699508164

横方向に結晶化したELA多結晶SI膜を使用してチャネル特性を最適化する方法

Inventor：
アポストロス ボウトサス

About アポストロス ボウトサス

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ジョン ダブリュー. ハーツェル

About ジョン ダブリュー. ハーツェル

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中田 行彦

About 中田 行彦


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001394532
Publication number (International publication number)：2002289523
Application date： Dec. 26, 2001
Publication date： Oct. 04, 2002
Summary：
【要約】【課題】 異なる結晶配向に対する異なる配向にマスクパターンを回転することによって、デバイスの異なるエリアへの所望のTFTチャネル配向に適合する結晶配向を選択する方法を提供する。【解決手段】 基板上の多結晶領域の形成方法は、基板を照射するようにマスクを通過したレーザービームを方向付ける工程と、基板上の初期領域に初期角度でマスクを配向する工程と、横方向結晶化プロセスを使用して初期領域をアニーリングする工程と、基板上の第2の領域に第2の角度にマスクを再配向する工程と、横方向結晶化プロセスを使用して第2の領域をアニーリングする工程とを包含する。
Claim (excerpt)：
a)基板を照射するようにマスクを通過したレーザービームを方向付ける工程と、b)該基板上の初期領域に初期角度で該マスクを配向する工程と、c)横方向結晶化プロセスを使用して該初期領域をアニーリングする工程と、d)該基板上の第2の領域に第2の角度に該マスクを再配向する工程と、e)該横方向結晶化プロセスを使用して該第2の領域をアニーリングする工程とを包含する基板上の多結晶領域の形成方法。
IPC (4)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (4)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 618 Z
F-Term (24)：
5F045AB03 ,  5F045CA15 ,  5F045EB02 ,  5F045HA18 ,  5F052AA02 ,  5F052BA12 ,  5F052BA18 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052DA02 ,  5F052FA01 ,  5F052HA01 ,  5F052JA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD04 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP24
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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