多結晶半導体薄膜の製造方法および製造装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997217213
Publication number (International publication number)：1999064883
Application date： Aug. 12, 1997
Publication date： Mar. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】多結晶Si薄膜トランジスタの高性能化と高均一化を実現する生産性に優れた結晶粒の大きな多結晶Si薄膜の製造方法を提供することにある。【解決手段】エキシマレーザービームを非晶質Si薄膜に照射し、Si薄膜を溶融再結晶化する方法において、Si薄膜を照射するエキシマレーザービームの光路に、繰り返しパターンが形成されたマスクを挿入してSi薄膜面上に照射されるビームをマスクパターンでエネルギーを変調して照射することにより、面内の平面方向の温度勾配を制御すると同時に、Si薄膜が形成された基板をレーザー照射と同期して順次移動させて多結晶Siを形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に非晶質半導体薄膜を形成する工程と、この半導体薄膜にエネルギービームを照射して前記半導体薄膜を溶融再結晶化する多結晶半導体薄膜の製造方法において、前記エネルギービームの一部が透過する繰り返しパターンが透明板上に形成されたマスクを介して前記エネルギービームを前記半導体薄膜に照射する工程と、前記半導体膜上への前記エネルギービームの照射位置を変えて順次照射して前記多結晶半導体薄膜を成長させる工程とを具備することを特徴とする多結晶半導体薄膜の製造方法。

IPC (4)：

G02F 1/136 500 , H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4)：

G02F 1/136 500 , H01L 21/20 , H01L 29/78 618 Z , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

薄膜半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-043575 Applicant：ソニー株式会社
薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-290087 Applicant：富士通株式会社
レーザーアニール法及び液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-009369 Applicant：松下電器産業株式会社

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