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J-GLOBAL ID：200903093703543581

電子電界エミッタの放出状態を改善するための方法

Inventor：
ボーシヤード,ロバート・ジヨセフ

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チエング,ラプ-タク・アンドリユー

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ラビン,ジヨン・ジエラード

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ローチ,デイビツド・ハーバート

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Applicant, Patent owner：
イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー

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Agent (1)： 小田島 平吉
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002503904
Publication number (International publication number)：2004504690
Application date： Jun. 19, 2001
Publication date： Feb. 12, 2004
Summary：
本発明によれば、針状炭素、針状半導体、針状金属またはこれらの混合物などの針状放出物質で構成される電子電界エミッタの電界放出を改善するための方法であって、電子電界エミッタの表面に力を印加することを含み、この力によって電子電界エミッタの一部を除去し、電子電界エミッタの新たな表面を形成する方法が得られる。
Claim (excerpt)：
針状放出物質で構成される電子電界エミッタの電界放出を改善するための方法であって、 (a)前記電子電界エミッタから材料を剥離したときに前記電子電界エミッタの一部が除去または再配列されて前記電子電界エミッタの新たな表面が形成されるように十分な密着力が得られる密着接触を前記電子電界エミッタとの間で形成する前記材料と前記電子電界エミッタとを接触させ、 (b)前記材料を前記電子電界エミッタから剥離することを含むことを特徴とする方法。
IPC (5)：
H01J9/02 ,  H01J1/304 ,  H01J19/24 ,  H01J21/10 ,  H01J63/06
FI (5)：
H01J9/02 B ,  H01J19/24 ,  H01J21/10 ,  H01J63/06 ,  H01J1/30 F
F-Term (20)：
5C039MM02 ,  5C127AA00 ,  5C127AA06 ,  5C127AA20 ,  5C127BA15 ,  5C127BB07 ,  5C127CC02 ,  5C127DD04 ,  5C127DD19 ,  5C127DD43 ,  5C127DD63 ,  5C127DD64 ,  5C127EE02 ,  5C135AA09 ,  5C135AA15 ,  5C135AB05 ,  5C135AB07 ,  5C135AC01 ,  5C135AC07 ,  5C135HH02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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