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J-GLOBAL ID：200903078088416850

窒化物半導体発光素子

Inventor： 角野 雅芳
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 渡辺 喜平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996239309
Publication number (International publication number)：1998093194
Application date： Sep. 10, 1996
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 接触抵抗が小さく、低電圧動作が可能で、かつ高信頼性を有する窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 GaN系の窒化物半導体を用いた発光素子において、金属電極と接する部分の半導体層を、p型またはn型の、GaN1-X AsX 層(0〈X〈0.2)またはInGaN1-X AsX 層(0〈X〈0.2)とする。

Claim (excerpt)：

GaN系の窒化物半導体を用いた発光素子において、金属電極と接する部分の半導体層が、p型またはn型の、GaN1-X AsX 層(0〈X〈0.2)またはInGaN1-X AsX 層(0〈X〈0.2)であることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• コンタクト抵抗低減層を有する半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-281958   Applicant：三菱化学株式会社
• コンタクト抵抗低減層を有する半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-281959   Applicant：三菱化学株式会社
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-233178   Applicant：ローム株式会社
• 半導体装置および半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-120281   Applicant：三洋電機株式会社
• 無線送信装置及び無線受信装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-119449   Applicant：株式会社リコー
• 特開昭55-009442
  
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-313977   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所