Pat

J-GLOBAL ID：200903093880158841

トレンチ素子分離構造とこれを有する半導体素子及びトレンチ素子分離方法

Inventor： 朴 泰 緒 ,  朴 文 漢 ,  朴 ▲けい▼ 媛 ,  李 漢 信
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000312495
Publication number (International publication number)：2001160589
Application date： Oct. 12, 2000
Publication date： Jun. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】 トレンチ上部エッジをラウンドし、この部分での酸化量を増大させトランジスタのハンプ現象及び逆方向の狭幅効果を改善したトレンチ素子分離構造とこのような構造を有する半導体素子及びトレンチ素子分離法を提供する。【解決手段】 本発明のトレンチ素子分離法は、半導体基板の非活性領域にトレンチを形成する段階と、トレンチ内壁に、10〜150Åの厚さの内壁酸化膜を形成する段階と、内壁酸化膜上にライナーを形成する段階と、トレンチを絶縁膜に埋め込む段階と、前記ライナーの上端が半導体基板の表面よりさらにリセスされるようライナーの一部を蝕刻する段階とを含んでなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板の非活性領域に形成され、その上部エッジがラウンドされたトレンチと、前記トレンチ内壁に形成された内壁酸化膜と、前記内壁酸化膜の表面上に形成され、その上部が前記半導体基板の表面より低くリセスされたライナーと、前記内壁酸化膜及びライナーが形成された前記トレンチを埋め込む絶縁膜とを具備することを特徴とするトレンチ素子分離構造。

IPC (3)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (3)：

H01L 21/316 S ,  H01L 21/76 L ,  H01L 29/78 301 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体集積回路装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-112467   Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 特開昭58-202545
  
• シャロートレンチアイソレーション構造内に結晶質窒化珪素被膜の薄膜を形成する方法、サブミクロンの集積回路デバイス用のシャロートレンチアイソレーション構造及び結晶質窒化珪素被膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-022531   Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト, インターナショナルビジネスマシーンズコーポレーション
• 素子分離方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-244502   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-156256   Applicant：日本電気株式会社