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J-GLOBAL ID：200903094042198455

有機薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor：
平井 桂

About 平井 桂


Applicant, Patent owner：
コニカミノルタホールディングス株式会社

About コニカミノルタホールディングス株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003045573
Publication number (International publication number)：2003324202
Application date： Feb. 24, 2003
Publication date： Nov. 14, 2003
Summary：
【要約】【課題】 煩雑な製造工程を経ることなく高精度のパターニングを低コストで行うことができ、キャリア移動度が高く、ゲート電圧が低下でき、スイッチングON状態での電流値が高い、従って電流のON/OFF値が高い、駆動周波数が高い有機薄膜トランジスタを得ることにあり、また、製造工程でのトランジスタの特性の低下を抑えることのできる有機薄膜トランジスタの製造方法を得ることにある。【解決手段】 ソース電極、ドレイン電極が、少なくとも絶縁層に形成され、有機半導体チャネルに接するスルーホール部分から形成された有機薄膜トランジスタ。
Claim (excerpt)：
ソース電極、ドレイン電極が、少なくとも絶縁層に形成され、有機半導体チャネルに接するスルーホール部分から形成された有機薄膜トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/00
FI (6)：
H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 616 S ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 627 C ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/28
F-Term (52)：
5F110AA01 ,  5F110AA07 ,  5F110AA17 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG52 ,  5F110GG53 ,  5F110GG54 ,  5F110GG55 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL14 ,  5F110HL22 ,  5F110NN02 ,  5F110NN05 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ03 ,  5F110QQ14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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