半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996051141
Publication number (International publication number)：1997223819
Application date： Mar. 08, 1996
Publication date： Aug. 26, 1997
Summary：

【要約】【課題】窒化ガリウム系の半導体積層構造に残っている応力を低減し、微小なクラックや転位の束状の欠陥の発生を抑え、半導体素子作成過程での特性劣化を防ぐことができ、発光効率の向上、動作電圧の低減化及び長寿命化をはかり得る。【解決手段】 SIMOX基板51上に最下層をAlGaNバッファ層53とした窒化ガリウム系の積層構造部53〜58を有する半導体発光素子において、基板51と積層構造部53〜58との間にSiC薄膜層52を設けると共に、SiC薄膜層52の厚さAを、SiC薄膜層52に隣接するバッファ層53の厚さBの2倍以上とし、かつ積層構造部53〜58の厚さC以下とした。また、少なくとも最表面が概ね(111)の面方位を持つシリコンである基板上のSiC薄膜層中にゲルマニウム、チタン、スズより選ばれる少なくとも1種類を含むこととした。またSIMOX基板の代わりに窒素をイオン注入したシリコン基板を用いた。

Claim (excerpt)：

基板上に最下層を窒化ガリウム系のバッファ層とした窒化ガリウム系の積層構造部を有する半導体発光素子において、前記基板と積層構造部との間に炭化珪素を主成分とする薄膜層を設けると共に、該薄膜層と前記基板との合計の厚さを、該薄膜層に隣接する前記バッファ層の厚さの2倍以上にし、かつ前記積層構造部の厚さ以下にしたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/20

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 21/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-223330
半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-062812 Applicant：株式会社東芝
光学素子及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-016522 Applicant：キヤノン株式会社

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