マグネトロンプラズマCVD装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：北村欣一 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997224816
Publication number (International publication number)：1999061416
Application date： Aug. 21, 1997
Publication date： Mar. 05, 1999
Summary：

【要約】【解決手段】フィルムを巻き取りながら成膜するマグネトロンプラズマCVD装置において、真空槽内に成膜部である主ローラー及び陽極を互いに対向して配置し、この主ローラーの内部に磁気回路を固定して配置し、主ローラーのみが回転するようにし、該主ローラー上を走行するフィルム上にプラズマ発生により成膜するに際して、該主ローラー内部の磁気回路部の雰囲気をプラズマ放電領域と異なる雰囲気とした。【効果】巻取成膜を行う場合に、プラズマ放電を防ぎ、成膜性能を維持することが可能となるとともに、主ローラー上を主ローラーと一緒に走行するフィルム上へ常に一定の膜厚で成膜することが可能になる。

Claim (excerpt)：

基材を巻き取りながら成膜するマグネトロンプラズマCVD装置において、真空槽内に成膜部である主ローラー及び陽極が互いに対向して配置され、該主ローラーの内部に磁気回路が設けられ、該主ローラー上を走行する基材上にプラズマ発生により成膜するに際し、該磁気回路がプラズマにさらされないように、該主ローラー内部の領域がプラズマ発生領域と異なる雰囲気とされていることを特徴とするマグネトロンプラズマCVD装置。

IPC (6)：

C23C 16/50 , C23C 14/35 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 21/285 , H01L 21/31

FI (6)：

C23C 16/50 , C23C 14/35 C , H01L 21/203 S , H01L 21/205 , H01L 21/285 S , H01L 21/31 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

特表平7-502074
成膜装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-171081 Applicant：花王株式会社
特開昭54-035172

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