半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000066960
Publication number (International publication number)：2001257344
Application date： Mar. 10, 2000
Publication date： Sep. 21, 2001
Summary：

【要約】【課題】金属酸化物膜或いは金属珪酸化物膜をゲート絶縁膜に用いた半導体装置の性能を向上させる。【解決手段】半導体基板1と金属酸化物膜3との間に、金属、シリコン及び酸素を含む絶縁膜6が形成されている。金属、シリコン及び酸素を含む絶縁膜6にはフッ素又は窒素の少なくとも一方が含まれている。金属酸化物膜3及び金属、シリコン及び酸素を含む絶縁膜6は非結晶膜である。金属酸化物膜3を構成する主たる金属元素と金属、シリコン及び酸素を含む絶縁膜6を構成する主たる金属元素とは異なっていてもよい。

Claim (excerpt)：

金属、シリコン及び酸素を含む絶縁膜をゲート絶縁膜の少なくとも一部に用いた半導体装置であって、前記金属、シリコン及び酸素を含む絶縁膜にフッ素又は窒素の少なくとも一方が含まれていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/78 , H01L 21/283 , H01L 21/316 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/283 C , H01L 21/316 M , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 P

F-Term (46)：

4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB13 , 4M104BB30 , 4M104CC05 , 4M104DD03 , 4M104DD04 , 4M104DD55 , 4M104DD79 , 4M104DD82 , 4M104DD86 , 4M104EE03 , 4M104EE09 , 4M104EE12 , 4M104EE16 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH20 , 5F040DC01 , 5F040EC01 , 5F040EC04 , 5F040EC07 , 5F040EC08 , 5F040EC10 , 5F040EC12 , 5F040ED01 , 5F040ED03 , 5F040EF02 , 5F040EK05 , 5F040FA01 , 5F040FA02 , 5F040FA05 , 5F040FA07 , 5F040FB02 , 5F040FB05 , 5F040FC15 , 5F040FC19 , 5F040FC28 , 5F058BA01 , 5F058BD04 , 5F058BD06 , 5F058BD15 , 5F058BF52 , 5F058BH20 , 5F058BJ01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

ド-プされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品及びド-プされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品の作製プロセス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-065742 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-252448 Applicant：株式会社東芝
薄膜絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-348790 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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