基板処理方法及び基板処理装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：渡邉勇 , 堀田信太郎 , 小杉良二 , 森友宏 , 廣澤哲也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004050407
Publication number (International publication number)：2005243845
Application date： Feb. 25, 2004
Publication date： Sep. 08, 2005
Summary：

【課題】配線の露出表面を該配線に対するバリア性を高めた配線保護膜で選択的に覆って配線を保護することができるようにする。【解決手段】基板の表面に形成した配線の露出表面に保護膜を選択的に形成して該配線を保護するに際し、基板の被めっき下地表面に前処理を行い、前処理を施した被めっき下地表面に無電解めっきを施して保護膜を選択的に形成し、無電解めっき後の基板を清浄化処理して乾燥させ、乾燥後の基板表面にプラズマ処理を行う。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

基板の表面に形成した配線の露出表面に保護膜を選択的に形成して該配線を保護するに際し、前記基板の被めっき下地表面に前処理を行い、前記前処理を施した被めっき下地表面に無電解めっきを施して前記保護膜を選択的に形成し、前記無電解めっき後の基板を清浄化処理して乾燥させ、前記乾燥後の基板表面にプラズマ処理を行うことを特徴とする基板処理方法。

IPC (6)：

H01L21/3205 , C23C8/36 , C23C18/16 , C23C18/31 , H01L21/288 , H01L21/68

FI (7)：

H01L21/88 K , C23C8/36 , C23C18/16 Z , C23C18/31 A , H01L21/288 E , H01L21/68 A , H01L21/88 R

F-Term (78)：

4K022AA02 , 4K022AA41 , 4K022AA42 , 4K022BA04 , 4K022BA06 , 4K022BA14 , 4K022BA16 , 4K022BA24 , 4K022BA32 , 4K022CA03 , 4K022CA04 , 4K022CA06 , 4K022CA12 , 4K022CA16 , 4K022CA19 , 4K022CA20 , 4K022CA21 , 4K022CA23 , 4K022DA01 , 4K022DB15 , 4K022DB18 , 4K022EA02 , 4K022EA04 , 4K028BA01 , 4K028BA02 , 4K028BA05 , 4K028BA13 , 4M104BB04 , 4M104BB08 , 4M104BB32 , 4M104BB36 , 4M104DD22 , 4M104DD33 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104FF13 , 4M104FF17 , 4M104HH01 , 4M104HH02 , 4M104HH05 , 4M104HH09 , 5F031CA02 , 5F031FA01 , 5F031FA07 , 5F031FA11 , 5F031FA12 , 5F031FA15 , 5F031GA24 , 5F031GA32 , 5F031GA49 , 5F031HA38 , 5F031HA73 , 5F031KA03 , 5F031LA07 , 5F031LA15 , 5F031MA03 , 5F031MA23 , 5F031MA24 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH14 , 5F033HH32 , 5F033MM01 , 5F033MM11 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033QQ53 , 5F033QQ91 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033WW00 , 5F033WW06 , 5F033XX03 , 5F033XX04 , 5F033XX14 , 5F033XX28 , 5F033XX34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置の製造方法及び製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-039237 Applicant：ソニー株式会社
膜形成方法及び膜形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-032039 Applicant：東京エレクトロン株式会社
めっき方法、基板形成方法及び基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-003573 Applicant：株式会社半導体先端テクノロジーズ

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