膜形成方法及び膜形成装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大森純一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002032039
Publication number (International publication number)：2002370059
Application date： Feb. 08, 2002
Publication date： Dec. 24, 2002
Summary：

【要約】【課題】低誘電率の層間絶縁膜等の膜相互間、あるいは層間絶縁膜と他の隣接する膜相互間の接着性を向上させる膜形成方法及び膜形成装置を提供すること。【解決手段】本発明は、基板上に形成された多孔質又は非多孔質の低誘電率絶縁膜46の表面に対して改質処理を施す工程と、前記改質処理を施された多孔質又は非多孔質の低誘電率絶縁膜46の表面に、エッチングマスク又はCMPストッパーとして絶縁膜47を形成する工程とを具備する。上記改質処理として、例えばプラズマを照射することにより、多孔質又は非多孔質の低誘電率絶縁膜46の表面粗さが増加して、いわゆるアンカー効果により膜相互間、あるいは層間絶縁膜と他の隣接する膜相互間の接着性を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された多孔質又は非多孔質の低誘電率絶縁膜の表面に対して改質処理を施す工程と、前記改質処理を施された多孔質又は非多孔質の低誘電率絶縁膜の表面に、エッチングマスク又はCMPストッパーとして絶縁膜を形成する工程とを具備することを特徴とする膜形成方法。

IPC (12)：

B05C 11/08 , B01J 19/00 , B01J 19/08 , B01J 19/10 , B01J 19/12 , B05C 9/10 , B05C 9/12 , B05D 1/38 , B05D 1/40 , B05D 3/04 , H01L 21/316 , H01L 21/768

FI (12)：

B05C 11/08 , B01J 19/00 K , B01J 19/08 H , B01J 19/10 , B01J 19/12 C , B05C 9/10 , B05C 9/12 , B05D 1/38 , B05D 1/40 A , B05D 3/04 C , H01L 21/316 P , H01L 21/90 J

F-Term (51)：

4D075AC65 , 4D075AE03 , 4D075BB13Z , 4D075BB46Z , 4D075BB49X , 4D075BB49Z , 4D075CA23 , 4D075DA06 , 4D075DB14 , 4D075DC22 , 4D075EA07 , 4D075EA21 , 4F042AA07 , 4F042AB00 , 4F042CB03 , 4F042DA05 , 4F042DB41 , 4F042EB04 , 4F042EB09 , 4F042EB13 , 4F042EB18 , 4G075AA24 , 4G075BC06 , 4G075CA23 , 4G075CA33 , 4G075CA47 , 4G075EB42 , 4G075ED01 , 4G075FA02 , 4G075FC15 , 5F033MM01 , 5F033QQ00 , 5F033QQ28 , 5F033QQ49 , 5F033QQ54 , 5F033QQ89 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR11 , 5F033RR21 , 5F033RR25 , 5F033SS22 , 5F033XX12 , 5F058AG07 , 5F058AG09 , 5F058BC02 , 5F058BC04 , 5F058BH16 , 5F058BH17 , 5F058BH20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

コンタクトホールの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-299922 Applicant：旭化成マイクロシステム株式会社
半導体集積回路装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-051190 Applicant：株式会社日立製作所
被成膜面の改質方法及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-001759 Applicant：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所

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