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J-GLOBAL ID：200903094392649220

窒化物半導体基板およびその製造方法

Inventor：
小林 直樹

About 小林 直樹

, 
前田 就彦

About 前田 就彦

, 
小林 康之

About 小林 康之


Applicant, Patent owner：
日本電信電話株式会社

About 日本電信電話株式会社


Agent (1)： 高山 道夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000068110
Publication number (International publication number)：2001257166
Application date： Mar. 13, 2000
Publication date： Sep. 21, 2001
Summary：
【要約】【課題】 基板表面の全面にわたって均一な低転位密度である窒化物半導体基板、およびその製造方法を提供する【解決手段】 サファイア基板1上にGaN層2を設け、その上にSiO<SB>2</SB>3で等価な3つの<11<U>2</U>0>方向に、開口部が正三角形になるように、2μm/8μmのラインとスペースからなるマスクストライプ4を形成する。マスクストライプ4による正三角形開口部にGaNを成長し、三角錐GaN成長層5を形成する。三角錐GaN成長層5上にレジストマスク6を形成し、マスクストライプ4とその下のGaN層2を削除し、レジストマスク6を削除して島状GaN層7を形成する。サファイア基板1上の全面にGaN成長層8を成長すると、三角錐を埋め込むように、横方向成長が促進され、約20μm成長すると、平坦になる。基板界面から垂直に延びる転位は、錐構造の斜面に到達すると曲がり表面に到達せず、低転位密度が実現する。
Claim (excerpt)：
(0001)面又は(0001)から数度傾斜した面方位を持つ基板上に島状の第一の窒化物層を有し、前記第一の窒化物層上に、前記第一の窒化物層の(0001)面の3つの等価な<11<U>2</U>0>(下線は上線の代用である)方向の辺と3つの等価な(1<U>1</U>01)(下線は上線の代用である)面を有する第二の窒化物層を有し、さらに前記第一、第二の窒化物層を覆う第三の窒化物層を有することを特徴とする窒化物半導体基板。
IPC (4)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (4)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323
F-Term (30)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED04 ,  4G077HA02 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB32 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045HA14 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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