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J-GLOBAL ID：200903094412845005

導体通路上での分子構造の構築方法及び分子メモリマトリックス

Inventor：
クロンホルツ・シュテファン

About クロンホルツ・シュテファン

, 
カルトホイザー・ジルヴィア

About カルトホイザー・ジルヴィア


Applicant, Patent owner：
フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング

About フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング


Agent (3)： 江崎 光史 ,  奥村 義道 ,  鍛冶澤 實
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007545830
Publication number (International publication number)：2008523633
Application date： Nov. 30, 2005
Publication date： Jul. 03, 2008
Summary：
この発明は、導体通路上に分子の構造を構築する方法及び分子メモリマトリックスに関する。この発明にもとづく方法により、安価で簡単な手法により任意の数の分子メモリ素子の構造を目的通り構築して、それによりメモリマトリックスを分子レベルで準備することが初めて可能となる。
Claim (excerpt)：
導体通路上に分子の構造を構築する方法であって、 -構造化された導体通路(4)上に金属クラスタ(6)を組み込んだミセル(5)を配置する工程と、 -金属クラスタ(6)の周りからミセル(5)のポリマー鎖を除去する工程と、 -電気絶縁性の保護層(7)内に金属クラスタ(6)を組み入れる工程と、 -機能分子(8)のために金属クラスタ(6)を露出させる工程と、 -機能分子(8)を金属クラスタ(6)と結合させる工程と、 を有する方法。
IPC (4)：
H01L 27/10 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/320 ,  H01L 29/06
FI (4)：
H01L27/10 451 ,  H01L21/28 B ,  H01L21/88 B ,  H01L29/06 601N
F-Term (40)：
4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD51 ,  4M104FF40 ,  4M104GG16 ,  4M104HH14 ,  4M104HH15 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ42 ,  5F033RR04 ,  5F033VV16 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX07 ,  5F033XX33 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083PR05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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