窒化ガリウム系半導体レーザおよびその製造方法

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：滝本智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997054551
Publication number (International publication number)：1998256660
Application date： Mar. 10, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】動作電圧が低い絶縁基板上の窒化ガリウム半導体レーザを実現する。【解決手段】サファイア基板101上にn型半導体層(103〜105)、MQW活性層106、p型半導体層(107〜109)が形成されている。素子の約半分の領域はn型GaN層103が露出するまで104〜109までの層が除去され、n側電極112が形成されている。p側は電流をストライプ状に狭窄するために、p型GaN層109を残し、ストライプ外のp型GaN層109を除去してリッジ110を形成する。リッジ110のp型GaN層109上にp側電極111を形成する。リッジ110の位置はn側電極112を形成するため、エッチング側壁113に近づけ、n側電極112とp側電極111が接近するようにする。n型GaN層103を横方向に流れる距離が短くなり、抵抗が小さくでき、動作電圧を低減できる。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に形成されたn型半導体層、活性層、p型半導体層とを備えた、半導体レーザであって、前記活性層を含む半導体層が除去されて、前記n型層が露出しており、n型半導体層上には電極が形成されており、前記p型半導体層にも、ストライプ状に電流を流す領域が形成されており、前記ストライプ状に電流を流す領域と、前記n型半導体層上の電極との間の間隔が、電極の端の近い方どうしで150μm以下である窒化ガリウム系半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

窒化物半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-020420 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-007048 Applicant：松下電器産業株式会社
特開平3-203388

Show all

Return to Previous Page