窒化物半導体レーザ素子

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995020420
Publication number (International publication number)：1996213694
Application date： Feb. 08, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】窒化物半導体発光素子の活性層外部に出ていく光の損失を少なくして、活性層内に光を閉じ込めレーザ発振を可能にする。【構成】基板上に少なくともn型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層が順に積層され、n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層とがストライプ状の形状を有する電極ストライプ型のレーザ素子において、基板の幅(a)よりもn型窒化物半導体層のストライプ幅(b)が狭くされていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に少なくともn型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層が順に積層され、n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層とがストライプ状の形状を有する電極ストライプ型のレーザ素子において、基板の幅よりもn型窒化物半導体層のストライプ幅が狭くされていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-305257 Applicant：旭化成工業株式会社
特開昭58-170058
特開平4-369285

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