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J-GLOBAL ID：200903094534352042

半導体記憶装置

Inventor： 牧野 辰志
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 加藤 朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995274844
Publication number (International publication number)：1997091968
Application date： Sep. 28, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】リストアワード活性化時の動作時間を短縮することと、これに伴うデバイス面積の増大をできるだけ抑える半導体記憶装置の提供。【解決手段】センスワードの活性化時に選択されたXデコーダ回路のセルフブート節点のHigh電位をリストアワード活性化時まで保持し、Xデコーダのセルフブート節点に保持回路を設けてセンスワードのXアドレスをリストアワード活性化時まで各バンクで保持させる。

Claim (excerpt)：

複数バンク構成とされ、メモリセルのデータをセンスするために活性化したワード線(「センスワード」という)をセンス終了後に一度非活性状態とし、センスアンプ非活性化時に再度ワード線(「リストアワード」という、但し、各バンク単位で直前のセンスワードと同一アドレスのワード線)を活性化してセンスアンプのデータをメモリセルに書込む動作を行う半導体記憶装置において、内部のセルフブート節点に保持回路を備え、前記センスワードの活性化時から前記リストアワードの活性化時まで、各バンク毎にXアドレスを保持することを特徴とする半導体記憶装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-071136   Applicant：三菱電機株式会社
• メモリ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-225185   Applicant：日本電気株式会社
• センスアンプ制御回路及びセンスアンプ制御方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-049379   Applicant：富士通株式会社