GaAs系レーザーに対する方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 小林良博 , 西山雅也
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003520009
Publication number (International publication number)：2004538651
Application date： Aug. 09, 2002
Publication date： Dec. 24, 2004
Summary：

本発明は、GaAs、GaAlAs、InGaAsP及びInGaAsを含む群から選択された材料の無汚染表面を得るためにドライ・エッチングを用いて、GaAs系レーザー上の任意の構造上に窒化物層を得る方法及びこの方法によって作成されるGaAs系レーザーに関する。レーザー表面はドライ・エッチングを防止されるべきその表面の部分をマスキングするマスクを設けられている。該レーザーを真空内に置く。その後、化学反応性ガス、不活性ガス、化学反応ガスと不活性ガスとの混合物を含む群から選択された物質を使用して、ドライ・エッチングを行う。窒素含有プラズマを使用して自然窒化物層を形成する。保護層及び/又はミラー・コーティングを付加する。

Claim (excerpt)：

GaAs、GaAlAs、InGaAsP及びInGaAsを含んでなる群から選択された材料の無汚染表面を得るためにドライ・エッチングを用いて、GaAs系レーザー上の任意の構造上に窒化物層を得る方法であって: ・レーザー表面にマスクを設けることにより、ドライ・エッチングを防止されるべきその表面の部分をマスキングし; ・該レーザーを真空内に置き; ・化学反応性ガス、不活性ガス、化学反応ガスと不活性ガスとの混合物を含む群から選択された物質を使用して、ドライ・エッチングを実施し; ・窒素含有プラズマを使用して自然窒化物層(10、24、35)を形成し; ・保護層(12)及び/又はミラー・コーティング(M6、M9)を付加する、ことを含むことを特徴とする、GaAs系レーザー上の任意の構造上に窒化物層を得る方法。

IPC (3)：

H01S5/028 , H01S5/12 , H01S5/323

FI (3)：

H01S5/028 , H01S5/12 , H01S5/323

F-Term (12)：

5F073AA13 , 5F073AA64 , 5F073AA65 , 5F073AA83 , 5F073AA84 , 5F073AA89 , 5F073CA04 , 5F073CA05 , 5F073CA13 , 5F073CB20 , 5F073DA24 , 5F073DA33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-280315 Applicant：沖電気工業株式会社
半導体装置の製造方法および半導体製造装置並びに半導体レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-012325 Applicant：三菱電機株式会社
ドライエッチング方法および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-060495 Applicant：株式会社日立製作所

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