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J-GLOBAL ID：200903094572837653

窒化物半導体発光素子およびその製造方法

Inventor：
神川 剛

About 神川 剛

, 
川口 佳伸

About 川口 佳伸


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (2)： 佐野 静夫 ,  山田 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005294361
Publication number (International publication number)：2007103814
Application date： Oct. 07, 2005
Publication date： Apr. 19, 2007
Summary：
【課題】金属の密着層のようにpn接合のショートおよび光の吸収を抑制するための膜厚制御性を必要とせず、かつ共振器端面と端面コート膜の酸素を端面部分から分離する分離層を形成することにより、端面の酸化を防ぎ信頼性、生産効率の高い窒化物半導体発光素子を提供することである。【解決手段】III-V族窒化物半導体層を有した窒化物半導体レーザバー100の前面側の共振器端面113に、窒化アルミニウムからなる分離層115を積層し、分離層115に酸化アルミニウムからなる端面コート膜116を積層し、同様に背面側の共振器端面114にも窒化アルミニウムからなる分離層118を積層し、分離層118に酸化アルミニウム/TiO2の多層膜からなる端面コート膜117を積層した構成とする。【選択図】図4
Claim (excerpt)：
III-V族窒化物半導体層と、前記III-V族窒化物半導体層に設けられた共振器と、前記共振器の端面に形成された端面コート膜とを備えた窒化物半導体発光素子において、 前記端面コート膜が前記共振器の端面に対向する側に酸化アルミニウム層を有し、前記端面コート膜と前記共振器の端面との間に、窒化アルミニウムからなる分離層を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2)：
H01S 5/323 ,  H01S 5/22
FI (2)：
H01S5/323 610 ,  H01S5/22
F-Term (9)：
5F173AA05 ,  5F173AH22 ,  5F173AL03 ,  5F173AL04 ,  5F173AL05 ,  5F173AL07 ,  5F173AP82 ,  5F173AP92 ,  5F173AR68
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (9)
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