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J-GLOBAL ID：200903094624271432

窒化物半導体レーザ素子及びその電極形成方法

Inventor：
佐野 雅彦

About 佐野 雅彦

, 
中村 修二

About 中村 修二


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998126549
Publication number (International publication number)：2000004063
Application date： May. 11, 1998
Publication date： Jan. 07, 2000
Summary：
【要約】【目的】 リッジストライプがp層側に設けられてなるレーザ素子において、p側のクラッド層の表面に絶縁性の高い絶縁膜が設けられた信頼性の高いレーザ素子を提供すると共に、均一な膜厚で絶縁膜を形成すると共に、簡単な方法で絶縁膜を形成して、その絶縁膜を介して電極を形成しやすくできる電極の形成方法を提供する。【構成】 p側クラッド層の上に、p側コンタクト層が積層され、そのp側コンタクト層からエッチングされて、p側コンタクト層よりも下の層に、ストライプ状の導波路領域が設けられた窒化物半導体レーザ素子において、そのストライプ導波路のストライプの両側面、およびその側面と連続した窒化物半導体層の平面が、前記p側クラッド層の膜厚方向において、下端面からp側コンタクト層方向0.2μmよりも基板側にあり、その平面には、Si酸化物以外の絶縁膜が形成され、さらにその絶縁膜を介して、前記ストライプの最上層にあるコンタクト層の表面に電極が設けられている。さらにストライプ導波路の位置をp側クラッド層よりも下の層とすると閾値が著しく低下する。
Claim (excerpt)：
第1のp型窒化物半導体を含むp側クラッド層の上に、第2のp型窒化物半導体を含むp側コンタクト層が積層され、そのp側コンタクト層側からエッチングされて、p側コンタクト層よりも下の層に、ストライプ状の導波路領域が設けられた窒化物半導体レーザ素子において、そのストライプ導波路のストライプの両側面、およびその側面と連続した窒化物半導体層の平面には、Si酸化物以外の絶縁膜が形成され、さらにその絶縁膜を介して、前記ストライプの最上層にあるコンタクト層の表面に電極が設けられていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
F-Term (12)：
5F073AA13 ,  5F073AA51 ,  5F073AA61 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA30 ,  5F073EA23
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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