窒化物半導体レーザ素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996006298
Publication number (International publication number)：1997199798
Application date： Jan. 18, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【目的】窒化物半導体よりなるレーザ素子のしきい値電流を小さくして、室温で連続発振可能な素子を実現する。【構成】 Inを含む窒化物半導体よりなる活性層の上に、p型の窒化物半導体よりなる光ガイド層、光閉じ込め層及びコンタクト層を少なくとも有し、前記レーザ素子のレーザ光の共振方向に平行な方向にあたる前記光ガイド層、光閉じこめ層及びコンタクト層の幅が前記活性層の幅よりもエッチングにより狭く調整されており、さらに前記光ガイド層、光閉じこめ層及びコンタクト層のエッチング面には絶縁性薄膜が連続して形成されて、その絶縁性薄膜を介してコンタクト層と接続した正電極が設けられていることにより、レーザ光の横モードの光を制御してしきい値電流を下げる。

Claim (excerpt)：

次の(a)〜(c)の要件を具備することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。(a) Inを含む窒化物半導体よりなる活性層の上に、p型の窒化物半導体よりなる光ガイド層、光閉じ込め層及びコンタクト層を少なくとも有している。(b) 前記レーザ素子のレーザ光の共振方向に平行な方向にあたる前記光ガイド層、光閉じこめ層及びコンタクト層の幅が前記活性層の幅よりもエッチングにより狭く調整されている。(c) 前記光ガイド層、光閉じこめ層及びコンタクト層のエッチング面には絶縁性薄膜が連続して形成されて、その絶縁性薄膜を介してコンタクト層と接続した正電極が設けられている。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-007048 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体結晶積層体及びその形成方法並びに半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-195840 Applicant：株式会社日立製作所
半導体レーザー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-173250 Applicant：富士写真フイルム株式会社

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