太陽電池及びその製造方法、半導体製造装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮田金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997105760
Publication number (International publication number)：1998303443
Application date： Apr. 23, 1997
Publication date： Nov. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】湿式エッチングにより単結晶シリコンのみならず多結晶シリコン表面に対しても面内均一に微細な凹凸を形成し、シリコン太陽電池の光閉じ込め効果を改善し、高効率の太陽電池の提供を、さらに高効率の太陽電池の製造に当たって量産性に優れた方法を提供することである。【解決手段】弗酸、硝酸、リン酸を主体とした混酸に界面活性剤を加えたエッチング液にシリコン基板を浸漬し、その後処理として数%のアルカリにて、表面に形成された不純物膜除去して微細凹凸を形成する方法、およびこれらの処理を行ない光入射表面の球面状の凹凸構造を形成した基板を用いた太陽電池、この処理を実現し高効率の太陽電池を作成するための装置、特に、このプロセスを安定して行うために必須の硝酸濃度を一定に維持するための機能を有する湿式エッチング装置を示す。

Claim (excerpt)：

フッ酸、硝酸及びエッチング処理の速度の調整可能な少なくともリン酸又は炭素数が少ない水溶性のカルボン酸を含む調整剤を混合して混酸水溶液とし、前記混酸水溶液をエッチング液としてシリコン基板を浸漬し、前記シリコン基板の表面に微細な凹凸形状を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。

IPC (2)：

H01L 31/04 , H01L 21/306

FI (3)：

H01L 31/04 H , H01L 21/306 B , H01L 21/306 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-039491
洗浄装置および洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-019825 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
特開昭51-019483

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