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J-GLOBAL ID：200903094831935316

鉛を含まないはんだ接合方法及びこれによって製造された電子モジュール

Inventor： 前田 晃 ,  小澤 拓生 ,  梅村 敏夫
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮田 金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999114995
Publication number (International publication number)：2000307228
Application date： Apr. 22, 1999
Publication date： Nov. 02, 2000
Summary：

【要約】【課題】 現行錫鉛共晶はんだとほぼ同様の加熱プロセスで健全な接合部が得られる、鉛を含まないはんだ接合方法およびそれを用いて製造された電子モジュ-ルを提供する。【解決手段】 ボ-ドに搭載する全部品の最表面に鉛を含まない合金層をその融点以下で形成し、一方ボ-ド最表面にこれよりも融点の低い鉛を含まない合金層を形成し、両合金層を接触させて所定の加熱を行う。

Claim (excerpt)：

基板上に電子部品を搭載するためのはんだ接合方法において、上記電子部品にその合金層の融点よりも低い温度で鉛を含まない第1の合金層を形成し、上記基板の上記電子部品搭載面に第1の合金層よりも融点の低い鉛を含まない第2の合金層を形成し、その後上記第1の合金層と上記第2の合金層を接触させ、上記第2の合金層の融点よりも高く上記第1の合金層の融点よりも低い温度で加熱して、上記基板上に上記電子部品を接合する鉛を含まないはんだ接合方法。

IPC (7)：

H05K 3/34 505 ,  H05K 3/34 507 ,  H05K 3/34 512 ,  B23K 35/14 ,  B23K 35/26 310 ,  H01L 21/52 ,  H01L 21/60 311

FI (7)：

H05K 3/34 505 F ,  H05K 3/34 507 C ,  H05K 3/34 512 C ,  B23K 35/14 Z ,  B23K 35/26 310 A ,  H01L 21/52 E ,  H01L 21/60 311 S

F-Term (16)：

5E319AA03 ,  5E319AC01 ,  5E319BB01 ,  5F044KK01 ,  5F044KK14 ,  5F044KK18 ,  5F044LL05 ,  5F044QQ03 ,  5F044QQ06 ,  5F047AA17 ,  5F047BA06 ,  5F047BA19 ,  5F047BA53 ,  5F047BB07 ,  5F047BB16 ,  5F047BB19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置の製造方法と半導体装置及び電子回路装置の製造方法と電子回路装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-168385   Applicant：富士通株式会社
• 電子部品電極材料および電子部品電極製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-184891   Applicant：松下電器産業株式会社
• Pbフリーはんだ材料及びそれを用いた電子機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-022400   Applicant：株式会社日立製作所