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J-GLOBAL ID:200903095093737861

磁気不揮発性メモリ素子の磁気シールドパッケージ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 服部 毅巖
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002112877
Publication number (International publication number):2003309196
Application date: Apr. 16, 2002
Publication date: Oct. 31, 2003
Summary:
【要約】【課題】 MRAM素子の記録保持信頼性を向上させる。【解決手段】 MRAM素子11が軟磁性の磁気シールド部材14に囲まれて密閉された磁気シールドパッケージ10は、低周波磁界内では、磁気シールド部材14に到達した磁束が、その透磁率の実部μ’項の寄与により、磁気シールド部材14の内部を好んで進行し、磁束の進路が変えられる。また、高周波磁界内では、透磁率の虚部μ”項の寄与により、磁束が磁気シールド部材14の内部で吸収される。さらに、MRAM素子11は、磁気シールド部材14により周囲を囲まれ、様々な方向からの磁束に対して保護される。したがって、MRAM素子11に対する外部磁界の影響が抑制され、MRAM素子11の記録保持信頼性が向上するようになる。
Claim (excerpt):
磁気不揮発性メモリ素子に対する外部磁界の影響を抑制する磁気不揮発性メモリ素子の磁気シールドパッケージにおいて、磁気不揮発性メモリ素子が、軟磁性材料を用いて形成された磁気シールド部材に囲まれて密閉状態で配置されていることを特徴とする磁気不揮発性メモリ素子の磁気シールドパッケージ。
IPC (4):
H01L 23/00 ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/02
FI (4):
H01L 23/00 C ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/02 Z ,  H01L 27/10 447
F-Term (3):
5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083ZA23
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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