ポジ型レジスト組成物

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小栗昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000321128
Publication number (International publication number)：2002131897
Application date： Oct. 20, 2000
Publication date： May. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】超微細加工が可能な短波長の露光光源及びポジ型化学増幅レジストを用いたリソグラフィー技術にあって、解像力が向上し、現像残査が低減し、露光マージンや焦点深度等のプロセス許容性が改善されたポジ型レジスト組成物を提供すること。【解決手段】 (A)活性光線の照射により特定のスルホン酸を発生する化合物を少なくとも1種(B)酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

Claim (excerpt)：

(A)活性光線の照射により下記一般式(X)で表されるスルホン酸を発生する化合物を少なくとも1種(B)酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【化1】一般式(X)中、R1a〜R13aは、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、ハロゲン原子、水酸基を表す。Aは、ヘテロ原子を有する2価の連結基または単結合を表す。但し、Aが単結合の場合、R1a〜R13aの全てが同時にフッ素原子を表すことはなく、またR1a〜R13aの全てが同時に水素原子を表すことはない。mは0〜12の整数を表す。nは0〜12の整数を表す。qは1〜3の整数を表す。

IPC (12)：

G03F 7/004 503 , G03F 7/004 501 , C07C309/06 , C07C309/08 , C07C309/10 , C07C309/17 , C07C381/12 , C08K 5/00 , C08L101/02 , C09K 3/00 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (12)：

G03F 7/004 503 A , G03F 7/004 501 , C07C309/06 , C07C309/08 , C07C309/10 , C07C309/17 , C07C381/12 , C08K 5/00 , C08L101/02 , C09K 3/00 K , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

F-Term (27)：

2H025AA02 , 2H025AA04 , 2H025AB03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB41 , 2H025CB42 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4H006AA01 , 4H006AB76 , 4J002BC04Y , 4J002BC09Y , 4J002BC12W , 4J002BC12X , 4J002BC12Y , 4J002BG04X , 4J002CC03Y , 4J002EV236 , 4J002FD206 , 4J002GP03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

ポジ型感光性組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-164696 Applicant：富士写真フイルム株式会社
感放射線組成物、パタン形成方法およびこれを用いた位相シフトマスクの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-319031 Applicant：株式会社日立製作所, 日立化成工業株式会社
新規スルホニウム塩及び化学増幅ポジ型レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-307363 Applicant：信越化学工業株式会社, 日本電信電話株式会社

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