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J-GLOBAL ID：200903095152277314

ナノ構造の作製方法

Inventor：
舘野 功太

About 舘野 功太


Applicant, Patent owner：
日本電信電話株式会社

About 日本電信電話株式会社


Agent (1)： 森 哲也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005194872
Publication number (International publication number)：2007007827
Application date： Jul. 04, 2005
Publication date： Jan. 18, 2007
Summary：
【課題】 結晶欠陥を抑制しつつ、ナノレベルの結晶成長を行わせるとともに、結晶成長後の平坦性を確保する。 【解決手段】 GaAs層12の表面にAu微粒子13を形成し、Au微粒子13を加熱しながら反応ガスG1をAu微粒子13に供給し、GaAs層12のGaAsをAu微粒子13に溶け込ませながら、GaAs層12のGaAsを反応ガスG1と反応させることにより、Au微粒子13に溶け込んだGaAsを連続的にエッチングして、Au微粒子13がGaAs層12内に沈み込んだ凹部14をGaAs層12に形成した後、GaAsの原料となる原料ガスG2を供給することにより、Au微粒子13を触媒としてGaAs層12との界面にGaAsを成長させ、凹部14上にGaAsワイヤ層15を形成する。 【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
先端がナノサイズの金属針またはナノサイズの金属微粒子を素材に接触させながら、前記素材の表面にナノサイズの開口部を形成する工程と、 前記金属針または前記金属微粒子を前記素材に接触させながら原料ガスを前記金属針または前記金属微粒子の周囲に供給することにより、前記開口部内にナノ構造体を成長させる工程とを備えることを特徴とするナノ構造の作製方法。
IPC (3)：
B82B 3/00 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/306
FI (3)：
B82B3/00 ,  H01L29/06 601N ,  H01L21/302 105A
F-Term (6)：
5F004BB26 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA29 ,  5F004DB20 ,  5F004EA37
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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