半導体基板上に薄膜ナノ多孔質アエロゲルを形成するための低揮発性溶剤基の方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅村皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996342342
Publication number (International publication number)：1998070121
Application date： Nov. 18, 1996
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】雰囲気制御を行うことなく多孔率が制御された薄膜のナノ多孔質エーロゲルをデポジットし、ゲル化し、エージングし、乾燥できるようにすること。【解決手段】半導体基板に薄膜のナノ多孔質誘電体を形成する方法は、半導体基板を設ける工程と、この基板にナノ多孔質のエーロゲル前駆物質ゾルをデポジットする工程を含む。このエーロゲル前駆物質ゾルは金属基エーロゲル前駆物質反応体とグリセロールを含む第1溶剤とを備え、反応体における金属原子に対するグリセロールの分子のモル比は少なくとも1:16である。

Claim (excerpt)：

第1溶剤および第2溶剤内に分散された、少なくとも一部が加水分解された金属アルコキシドを含むエーロゲル前駆物質ゾルを提供する工程と、前記第1溶剤の実質的な蒸発を防止しながら前記第2溶剤のほぼすべてを蒸発させ、ゾルが多孔質の固体および孔内流体を含むゲルを形成できるようにする工程と、乾燥工程までに前記ゾルからの前記第1溶剤の実質的な蒸発を防止し続ける工程とを備え、前記乾燥工程が多孔質固体の実質的な崩壊を生じることなく、非過臨界的乾燥雰囲気内で孔内流体を除くことにより乾燥したエーロゲルを形成し、よって乾燥エーロゲルの骨格状密度が前記エーロゲル前駆物質ゾル内の前記第1溶剤に対する前記金属アルコキシドの容積比によってほぼ決定される、ナノ多孔質エーロゲルを形成する非過臨界的方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/316 G , H01L 21/88 K , H01L 21/90 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

シリカガラスの製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-221973 Applicant：日立化成工業株式会社
特開平4-050112
多孔質シリカゾルとその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-196534 Applicant：住友大阪セメント株式会社

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